LPCVD

半导体专用LPCVD

LPCVD主要用于生长多晶硅或氮化硅。在低压加热的条件下气态化合物在基片表面反应形成稳定的固态薄膜。工艺薄膜主要有Si3N4膜、SiO2(SiH4)膜、SiO2(TEOS)膜、PSG(BPSG)膜、Poly-Si膜等。


基础参数
工艺炉管 1-4
可加工晶片尺寸 2''-8''
恒温区长度 500-1500mm
恒温区稳定性 ±1℃/24h
极限真空度 10^0 Pa
工艺压力范围 66Pa-133Pa
可加工晶片尺寸 2''-8''
工艺炉管 1-4
装片量 100片
均匀性 SiQ2±6%;Si3N4±5%

真空系统



特点
1 气路配件均采用进口VCR接口,氦气检漏仪检漏
2 净化工作台采用水平层流净化
3 真空系统采用干泵或罗茨泵机械泵机组

TEOS自动上料系统