半导体专用扩散炉
扩散炉是半导体器件及集成电路制造过程中用于对晶片进行扩散、氧化、退货和合金等工艺的热加工设备,主要由净化工作台、送料系统、加热炉、气源柜和控制系统组成。 海迪克8000/9000系列扩散炉可实现温度、推拉舟、气路的全自动控制,每根炉管控制器独立工作,有极强的抗干扰能力,可适用于各种工艺类型。
基础参数 | |
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工艺炉管 | 1-4 |
可加工晶片尺寸 | 2''-8'' |
可实现工艺 | 干氧氧化、湿氧氧化、氢氧合成氧化、磷扩散、硼扩散、退火、合金、玻璃钝化等 |
温度技术指标 | |
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恒温区 | ≥800mm |
测温范围 | 0.0~1500℃ (可使用热电偶S、R、B、K型) |
显示精度 | 全量程0.1℃,24位数据采集精度 |
控温精度 | 800.0~1300.0℃ ≤±0.3℃;400.0~ 800.0℃ ≤±0.6℃; |
测量控制回路 | 3回路、5回路 |
升降温速度 | 0.1~25.5℃/min |
控制系统 | HDC9000A |
气体控制技术指标 | |
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控制精度 | MFC控制输出精度:±0.5%,气体流量输出检测精度:±0.5(MFC流量显示以SLPM,SCCM为单位) |
控制范围 | 每根炉管可同时控制8路气体, 检测8路模拟输入,16路电磁阀驱动,8路开关量输入 |
推拉舟技术指标 | |
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行程可调 | ≤2600mm |
定位精度 | ≤±1.0mm’ |
舟速度 | 10-400mm/min |
方式 | 斜滚推拉舟、悬臂推拉舟、炮筒推拉舟、软着陆推拉舟 |