立式扩散炉
.jpg)
| 基础参数 | |
|---|---|
| 工艺炉管 | 氧化、退火、低压 |
| 可加工晶片尺寸 | 6''/8'' |
| 可实现工艺 | 干氧氧化、湿氧氧化、氢氧合成氧化、磷扩散、硼扩散、退火、合金、玻璃钝化等 |
| 恒温区 | ≥800mm |
| 测温范围 | 0.0～1500℃ （可使用热电偶S、R、B、K型） |
| 显示精度 | 全量程0.1℃，24位数据采集精度 |
| 控温精度 | 800.0~1300.0℃ ≤±0.3℃；400.0~ 800.0℃ ≤±0.6℃； |
| 测量控制回路 | 5回路 |
| 升降温速度 | 0.1~25.5℃/min |
| 控制系统 | HDCVF1000 |
.jpg)
| 气体控制技术指标 | |
|---|---|
| 控制精度 | MFC控制输出精度：±0.5％，气体流量输出检测精度：±0.5（MFC流量显示以SLPM，SCCM为单位） |
| 控制范围 | 每根炉管可同时控制8路气体, 检测8路模拟输入，16路电磁阀驱动，8路开关量输入 |