石墨烯设备
石墨烯具有优异的光学、电学、力学特性,在材料学、微纳加工、能源、生物医学和药物传递等方面具有重要的应用前景。本设备适用于化学气相沉积法(CVD)石墨烯薄膜生长,性能可以满足各种工艺需求,能生长出具有高均匀性的大尺寸石墨烯薄膜。
基础参数 | |
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恒温区 | ≥800mm |
测温范围 | 0.0~2300.0℃(可使用热电偶S、R、B型等) |
显示精度 | 全量程0.1℃,24位数据采集精度 |
工艺炉管 | 1-4 |
最高使用温度 | 1250℃ |
升降温速度 | 0.1~25.5℃/min |
控制系统 | HDC9000A |